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1、电压击穿：可控硅因不能承受电压而损坏，其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏：电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。
3、电流上升率损坏：其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。
4、边缘损坏：发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。安装不慎所造成的，它导致电压击穿。
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